存储芯片行业周度跟踪：群联称NAND原厂或将在12月减产，三星电子扩建HBM等半导体封装工厂

　　核心观点

　　NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，群联称NAND原厂或将在12月减产。根据DRAMexchange，上周（1111-1115）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-1.62%至1.54%，平均涨跌幅为-0.08%。其中11个料号价格持平，3个料号价格上涨，8个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，群联电子潘健成指出，NAND原厂很可能将在12月减产，推动2025年下半重回供应紧缺的局面。A市场需求未来将会延伸到消费者及企业用市场，将是群联布局的强项，对于2025年的NAND Flash市场前景仍抱持正面看待。

　　DRAM：颗粒价格小幅下跌，ASML称2025-2030年间高级逻辑和DRAM的EUV光刻支出复合年增长率将达两位数。根据DRAMexchange，上周（1111-1115）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-2.95%至1.52%，平均涨跌幅为-0.92%。上周2个料号呈上涨趋势，16个料号呈下降趋势，0个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，ASML认为，EUV技术持续具有成本效益的可扩展性，预计将使客户能够将多图案层进一步转移到单图案EUV0.33NA和EUV0.55NA，适用于高级逻辑和DRAM。因此，ASML预计，2025年至2030年间，高级逻辑和DRAM的EUV光刻支出复合年增长率将达到两位数。

　　HBM：三星电子扩建HBM等半导体封装工厂。根据CFM闪存市场报道，三星电子与韩国忠清南道签署协议，将扩大其天安第3工业园区的半导体封装工厂，三星电子将从下个月到2027年12月的三年内，在天安第三综合工业园区三星显示器的28万平方米场地上安装半导体封装加工设施，以生产高带宽存储器（HBM），建设韩国先进、规模化的半导体封装工艺设施。三星电子将能够通过在天安半导体封装工艺工厂生产HBM来确保在全球尖端半导体市场的领导地位。

　　市场端：渠道及行业市场价格短暂持平。上周（1111-1115）eMMC价格环比下跌，UFS价格环比下跌。根据CFM闪存市场报道，随着部分资源供应增加，主控Turn-Key方案加持，加之客户价格预期低、部分存储厂商为追逐业绩降价促销激进，本周大容量嵌入式产品价格再度延续跌势。渠道市场层面，近期个别存储厂商现杀价动作，但影响较为有限；整体市场无明显波动，本周渠道及行业市场价格短暂持平。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。