【中泰电子|AI全视角】科技大厂财报系列：海力士24Q2财报解读

　　1、24Q2财务情况：收入创新高，利润大幅改善

　　24Q2收入创新高。

　　收入：24Q2收入为16.42万亿韩元，环比增长32%，同比增长125%，实现季度新高，大幅超过在22Q2创下的13.81万亿韩元记录。收入增长得益于ASP提高、高附加值产品组合的增加以及有利的汇率影响。

　　AI需求强劲：HBM、eSSD需求表现强势，HBMQ2收入环比增长超过80%，同比增长超过250%，eSSD销售额环比增长约50%。

　　分产品：DRAM/NAND收入占比66%/31%，DRAM收入环增43%，NAND收入环增27%。

　　盈利能力大幅改善，24H1营业利润可填补23年全年亏损。

　　毛利率：24Q2为46%，qoq+7pcts，yoy+62pcts。

　　营业利润：24Q2为5.47万亿韩元，qoq+89%，营业利润率达33%，qoq+10pcts，营业利润自2018年以来重回5万亿韩元水平。

　　净利润：24Q2为4.12万亿韩元，qoq+115%，净利润率为25%，qoq+10pcts。

　　23年营业利润-7.73万亿韩元，净利润-9.11万亿韩元，24H1营业利润8.4万亿韩元，净利润6.04万亿韩元，24H1营业利润已填补去23年全年的营业利润亏损。

　　2、24Q3展望：Q3DRAM、NAND出货量有分化

　　24Q2DRAM、NAND量价齐增。

　　DRAM：DRAM收入环增43%，出货量环增15%~20%，ASP环增15%。

　　NAND：NAND收入环增27%，出货量环增低个位数（0%~5%），ASP环增15%~20%。

　　展望24Q3：AI和服务器需求强劲，其他需求疲软+有库存，预计NAND出货量环比下降。

　　1）DRAM：预计出货量环比低个位数增长（0~5%），并将增加HBM产品的出货量；

　　2）NAND：预计出货量环比中个位数减少（5%左右），主要是eSSD销量增加，但其他终端需求较疲软，同时客户有库存，预计部分终端出货量出现中个位数的下降，预计Q4随着需求改善、出货量将恢复增长。随着产品结构的优化和平均售价的提高，预计Q3NAND收入继续增长。

　　3、下游需求：手机、PC和服务器是存储三大下游

　　存储大市场、强周期，手机、PC和服务器占约80%需求

　　大市场、强周期：存储是半导体第二大细分市场。2021/2022/2023年全球存储市场规模为1534/1298/923亿美金，占半导体规模的比例为28%/23%/18%，是全球第二大细分品类。从细分市场的同比增速看，存储的周期性与全球半导体整体周期性走势一致，但波动性远大于其他细分品类。另外23年DRAM和NAND分别占半导体存储市场的56%/39%，合计95%。

　　DRAM下游需求：2023年手机37%/服务器37%/PC13%/图形5%/其他8%；NAND下游需求：手机33%/企业级SSD18%/PCSSD25%/其他24%。

　　3、下游需求：H2服务器需求依然强劲

　　Q2海力士DRAM中服务器贡献占比提升，NAND中SSD贡献占比提升。

　　DRAM：服务器收入占比持续提升。

　　NAND：SSD收入占比持续提升。

　　H2AI服务器需求依然强劲，传统应用需求有望随着AI手机/AIPC逐渐复苏。

　　服务器：

　　1）AI服务器：需求强劲，科技公司对AI投资支出也不断攀升。

　　2）通用型服务器：2017、2018年的通用服务器到了更换周期，同时AI数据中心推动通用服务器更新，高能耗AI服务器增加，客户将现有通用服务器升级为更低功耗服务器以降低成本。

　　3）随着AI从训练拓展到推理，AI服务器需求增加，同时通用服务器有更换需求，预计服务器DRAM（不包括HBM）今年和明年的需求有20%左右增长。

　　手机：

　　随着支持AI旗舰机型和可折叠手机的推出，预计2024年下半年手机终端需求逐渐改善；

　　预计24H2-25年AI手机的相继发布将助推存储需求增长，这类手机对存储的要求更高。

　　PC：

　　需求复苏弱于预期

　　AI技术加持的高规格设备将推动24H2存储需求增长

　　AIPC将促进使用更高容量和低功耗存储。

　　4、资本开支：HBM超预期，资本开支高于年初计划

　　24年资本开支高于预期，投资HBM和新厂。

　　M15X晶圆厂和龙仁工厂的建设还在按计划进行

　　增加基础设施投资以支持HBM，HBM消耗更多晶圆和空间

　　HBM需求高于预期，预计24年资本开支比此前计划稍高，但会在经营现金流内执行。

　　根据最终市场需求和盈利能力并保持审慎的投资决策，追求投资效率和财务稳定。

　　5、高端产品：预计25年推出HBM4

　　HBM

　　HBM3EQ2收入提高；预计HBM3E出货量自Q3超过HBM3；预计24年HBM3E占比超过50%。

　　5月12层HBM3E已送样，Q3开始量产、Q4规模出货。预计25年12层3E需求大幅增加，预计12层供应量在25H1超过8层。

　　预计HBM425年发货，首先是12层，预计使用先进MR-MUF量产。HBM416层预计2026年推出。

　　24年TSV产能是23年的一倍以上，预计今年HBM收入同比增长300%以上。25年大部分资本开支已与客户达成一致，预计出货量同比24年增长一倍以上。

　　DDR5

　　256GB模组独家供应商；

　　H2计划发布基于32GbDDR5的服务器模组和MRDIMM。

　　NAND

　　23年资本开支向AI倾斜，通用服务器疲软，eSSD需求放缓；24年通用服务器投资比23年更高，eSSD需求超过年初预期，大容量eSSD销量增加，需求增长；

　　预计24年eSSD收入同比增长4倍；

　　用高性能低功耗的PCIe5.0cSSD支持AIPC需求。

　　7、投资建议&风险提示

　　投资建议

　　建议关注：

　　1）上游设计端：兆易创新/普冉股份/东芯股份/北京君正等

　　2）HBM产业链：香农芯创/赛腾股份/精智达/联瑞新材/华海诚科/雅克科技/深科技等

　　3）弹性模组端：德明利/江波龙/佰维存储/朗科科技/万润科技等

　　4）DDR5产业链：澜起科技/聚辰股份。

　　风险提示

　　根据海力士官网整理和翻译，未经公司确认，请审慎使用

　　研报信息更新不及时等