存储芯片周度跟踪：群联称NAND模组需求持续上升，DRAM结构性分化严重

　　核心观点

　　NAND：NAND颗粒市场价格小幅波动，群联称NAND模组需求持续上升。根据DRAMexchange，上周（1007-1011）NAND颗粒22个品类现货价格环比涨跌幅区间为-0.69%至4.35%，平均涨跌幅为0.96%。其中3个料号价格持平，14个料号价格上涨，5个料号价格下跌。根据CFM闪存市场报道，群联表示，2024年前三季整体NAND位元数总出货量的年成长率达到30%，创历史同期新高，表明市场对于高容量的NAND存储模组产品的需求趋势持续上升。

　　DRAM：颗粒价格小幅下跌，DRAM结构性分化严重。根据DRAMexchange，上周（1007-1011）DRAM18个品类现货价格环比涨跌幅区间为-3.08%至0.00%，平均涨跌幅为-0.85%。上周0个料号呈上涨趋势，16个料号呈下降趋势，2个料号价格持平。根据CFM闪存市场报道，DRAM方面，结构性分化更严重，DRAM产品涨跌各异。由于部分存储原厂LPDDR4X产能快速攀升补位供应，LPDDR4X供需失衡价格下挫，LPDDR5X价格单点上涨难度加大。部分原厂计划针对性减产旧制程DRAM产品，减少1z DRAM产能供应，加速向1b DRAM等先进制程切换。

　　HBM：SK海力士量产12层HBM3E。根据CFM闪存市场报道，SK海力士宣布量产12层HBM3E新品，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量。该产品堆叠12颗3GB DRAM芯片，实现与现有的8层产品相同的厚度，同时容量提升50%。

　　市场端：渠道仍未止跌，行业SSD和内存条保持稳定。上周（1007-1011）eMMC价格环比持平，UFS价格环比持平。根据CFM闪存市场报道，渠道市场价格从二季度以来进入下行通道，直至目前仍未有止跌信号，因此还需密切观察上游供应释出情况。内存条方面，随着行业低价资源库存逐渐消耗殆尽，部分存储厂商或因承受不住上游供应端成本持续攀升的压力，将适当调整产品结构，选择性地从部分产品线的竞争中抽身，以寻求更为稳健的市场定位。整体来看目前大多数产品均在积极消耗库存当中，行业SSD和内存条基本变化不大。

　　投资建议

　　我们持续看好受益先进算力芯片快速发展的HBM产业链、以存储为代表的半导体周期复苏主线。

　　HBM：受益于算力芯片提振HBM需求，相关产业链有望迎来加速成长，建议关注赛腾股份、壹石通、联瑞新材、华海诚科等；

　　存储芯片：受益于供应端推动涨价、库存逐渐回归正常、AI带动HBM、SRAM、DDR5需求上升，产业链有望探底回升。推荐东芯股份，建议关注恒烁股份、佰维存储、江波龙、德明利、深科技等。

　　风险提示

　　中美贸易摩擦加剧、下游终端需求不及预期、国产替代不及预期等。