ALD、CVD助力3D存储技术迭代
微导纳米(688147)
投资要点
半导体快速放量，订单营收高速增长。受益于国产存储芯片产能的持续扩充，以及逻辑、先进封装等领域设备国产化率的提升，公司半导体业务保持稳健增长。2025年1-9月半导体领域新增订单约14.83亿元，同比增长97.26%，其中超过80%来自存储芯片NAND与DRAM头部客户。2025年7-9月实现半导体设备营收约3.33亿元，同比增长132.66%；2025年1-9月累计实现半导体设备营收约5.26亿，同比元增长78.27%。报告期内，公司成功发行11亿元可转债，其中6.43亿元用于“半导体薄膜沉积设备智能化工厂建设”，项目建成后将极大提升产能，支撑订单的规模化交付；2.27亿元用于“研发实验室扩建”，旨在确保前沿技术能快速转化为可量产、高稳定性的产品，实现从“技术领先”到“市场领先”的无缝衔接，以持续提高公司在半导体领域的竞争优势。
存储占据主流赛道，支撑技术迭代。随着存储芯片转向3D架构，堆叠层数不断增加，器件结构日趋复杂。在此背景下，传统沉积工艺已难以在复杂三维结构内实现均匀、保形的薄膜沉积。ALD技术凭借其优异的三维覆盖能力和原子级膜厚控制精度，成为制造3D NAND和3D DRAM不可或缺的核心工艺。在国产存储芯片向更高层数与技术节点迭代的过程中，ALD技术的作用愈发关键，需求持续提升。另外，CVD硬掩膜工艺是集成电路领域应用广泛的工艺之一，尤其是无定形碳沉积的硬掩膜，属于其中最为先进和有技术难度的部分之一。该工艺制备的无定形碳硬掩膜具有优异的刻蚀选择比，能够在长时间刻蚀过程中保持图形完整性，确保在数百层的堆叠结构中将设计图形精准转移到下层介质，为实现存储芯片的高密度集成提供了关键技术保障。公司高温PECVD、TiN ALD等多款设备已实现规模量产，其核心工艺技术对推动存储芯片技术迭代尤其是3D DRAM、3D NAND技术的研发与产业化具有关键支撑作用。随着存储芯片3D结构堆叠层数持续提升及客户产能规模加速扩张，相关设备需求有望持续放量。
逻辑芯片和先进封装领域持续突破。除存储芯片外，公司在逻辑芯片和先进封装领域均取得重要突破。逻辑芯片领域，公司与国内主流厂商合作稳定，多款设备已通过客户严格的技术验证，关键指标达到国际先进水平，能够满足国内客户当前技术的需求以及未来技术更迭的需要。随着国内市场对高端国产薄膜沉积设备需求的增长，该领域业务有望保持增长态势。先进封装领域，公司产品采用独特低温（50~200°C）控制技术，在保证薄膜高质量沉积的同时，满足先进封装技术低热预算、高晶圆翘曲度、厚膜沉积等低温高质量薄膜需求.公司相关设备已在客户端进行验证，并与多家潜在客户开展技术交流，有望持续受益于先进封装市场的扩张。
投资建议
我们预计公司2025/2026/2027年分别实现收入26/31/36亿元，归母净利润分别为3/4.3/5.6亿元，维持“买入”评级。
风险提示
技术迭代及新产品开发风险；新产品验证进度不及预期的风险；季度业绩波动风险；订单履行风险；存货跌价的风险；应收账款和合同资产无法回收的风险；下游行业波动的风险；国内市场竞争加剧的风险；宏观环境风险；知识产权争议风险。
