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中微公司-研报正文

推动ICP刻蚀销量增长,组建Epi/LPCVD开发团队

www.eastmoney.com 中银证券 杨绍辉,陶波 查看PDF原文

K图

  中微公司(688012)

  事件:近期,公司在上证路演中心举办 2020 年业绩说明会,会上主要内容包括公司 CCP 刻蚀设备已进入国际一线晶圆代工客户的量产线且有较高的市占率,且 2021 年 ICP 刻蚀设备在线运行机台同比增长 100%,标志着公司刻蚀工艺获得重大进展。同时,公司继续“三维发展”战略的平台外延,在泛半导体和新兴领域中积极挖掘新增长点。

  支撑评级的要点

  半导体器件结构立体化、投资密度提升等增加刻蚀设备需求。尽管在 7nm以下的制程中 EUV 替代多重曝光减少刻蚀步骤是大势所趋,但同时因刻蚀技术难度增加而使得设备需求量不减反增。逻辑器件的微观尺寸从 28nm向 5nm 进步时,所需刻蚀步骤数显著增长近 3 倍;存储器件为突破物理极限增大容量而向 3D 结构堆叠时 , 刻蚀设备的投资占比也从 2D NAND 的 20%提升至 3D NAND 的 50% 。据应用材料业绩说明会数据显示,目前半导体投资密度从过去的 12% 提高至 14%,且这一比例将保持较长时间。

  中微的 CCP 刻蚀设备本土市占率 35%-40%,而 ICP 刻蚀设备销售已进入放量阶段。公司的 CCP 刻蚀设备已可覆盖 70%左右的 CCP 刻蚀工艺,应用范围可覆盖前道制程的 65nm-5nm 的微观器件,在国内领先 3D Nand厂 64 层产线上市占率 34%, 128 层产线市占率 35%,在国内 28nm 晶圆厂的市占率为 39%。公司 ICP Nanova 的在线设备 2020 年达到 55 个反应腔,工艺应用达到 70 个,主要用在 Logic 客户、 3D Nand 客户, 中微半导体今年正式发布了新一代 ICP 刻蚀设备 Primo Twin-Star ,用于 IC 器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。

  布局 Epi、LPCVD、量测、CMP 等多种制程设备,扩大目标市场规模。在立足 ICP、CCP 刻蚀这一优势领域的基础上,重点向薄膜沉积、量测设备等集成电路工艺设备外延。在薄膜沉积领域,公司参股的沈阳拓荆在长江存储、华虹无锡项目等主流 12 寸产线上获得重复 PECVD 订单;公司已组建 Epi 设备开发团队,主要聚焦 Foundry/Logic Device,主要应用于 Si、Si/Ge 的 Epi 工艺;已组建 LPCVD 开发团队,聚焦 Memory Device,主要应用于 W、WN、TiN 等沉积工艺。

  估值

  我们预计公司 2021-2023 年营业收入达到 30.8 亿元、 43.5 亿元、 53.9 亿元,净利润分别达到 4.6 亿元、6.6 亿元、8.4 亿元。结合中微优秀的技术团队及发展规划、路径,中长期公司有望成为中国的“应用材料”、“Lam Research”,维持买入评级。

  评级面临的主要风险

  技术迭代被反超的风险; 下游客户扩产不及预期的风险;行业景气周期性风险;国际贸易争端加剧的风险。

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