公司事件点评报告：景气度回升毛利率稳步回升，先进封装领域扩大研发布局

　　甬矽电子(688362)

　　事件

　　甬矽电子发布2024年半年度报告：2024年上半年公司实现营业收入16.29亿元，同比增长65.81%；实现归属于上市公司股东的净利润0.12亿元，实现扭亏转盈；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-0.16亿元，同比减亏0.98亿元。

　　投资要点

　　营业收入稳步提升，净利润扭亏转盈

　　2024年上半年，行业景气度回升叠加公司积极拓展新客户取得突破，公司营收稳步提升。其中Q2单季度实现营收9.03亿元，同比增长61.79%，归母净利润0.48亿元，环比扭亏转盈，增加0.83亿元；扣非净利润0.31亿元，环比扭亏转盈，增加0.77亿元。毛利率在今年上半年稳步回升，整体毛利率达到18.01%，同比增加5.83个百分点，主要得益于部分客户所处领域的景气度回升、新客户拓展及部分原有客户的份额提升，随着公司营业收入的增长，规模效应逐步显现。

　　持续加大研发投入，积极布局先进封装领域

　　2024年上半年，公司持续加大研发投入，研发投入金额达到9,398.43万元，占营业收入的比例为5.77%。公司通过实施Bumping项目掌握的RDL及凸点加工能力，并积极布局扇出式封装（Fan-out）及2.5D/3D封装工艺，公司研发团队通过自主研发，在先进晶圆级封装领域掌握了晶圆高密度、细间距重布线（RDL）及晶圆凸块（Bumping）技术、基于多层重布线（RDL）技术的WLCSP扇入式封装、8寸及12寸晶圆的CP（Chip Probing）测试能力等主要核心技术，在先进封装领域具有较为突出的工艺优势和技术先进性。

　　高密度SiP封装技术助力射频前端高密度集成化

　　随着射频器件数量不断提升，射频前端也向高密度集成化发展。公司对4G/5G射频芯片的封装技术展开了大量技术攻关，在高密度SiP技术开发中，研发实现先进的双面SiP(DSM-BGA SiP)技术，将传统XY平面芯片与元器件集成技术向空间Z方向延伸，实现SiP模组芯片、元器件、射频器件的双面高密度集成整合封装技术。公司已将高密度SiP封装技术应用于5G全系列射频前端集成模组（DiFEM、LPAMiD、PAMiD、PAMiF、L-FEM、MMMB、TxM、PAM等）、IoT物联网通讯等产品中，并布局进阶Phase8的L/M/HB All-in-one大集成5G射频模组技术开发。

　　盈利预测

　　预测公司2024-2026年收入分别为34.50、43.80、52.64亿元，EPS分别为0.18、0.49、0.83元，当前股价对应PE分别为103.0、38.4、22.8倍。随着下游行业景气度回升，中高端封装产品需求回暖提升，公司先进封装业务预计将拓展新客户并占据更大市场份额，维持“买入”投资评级。

　　风险提示

　　宏观经济的风险，产品研发不及预期的风险，行业竞争加剧的风险，下游需求不及预期的风险。