半导体设备行业点评：存储原厂Capex上调，看好半导体设备景气

　　投资要点：

　　事件：7月9日，美光宣布其在2035年前超2500亿美元投资计划（较此前2000亿美元上调），目标将约40%DRAM产能布局美国本土。6月29日，韩国政府联合三星、SK集团发布总规模4755万亿韩元国内投资计划，重点布局半导体及AI数据中心。全球存储原厂资本开支持续上修，我们看好海内外半导体设备景气共振。

　　AI爆发引发HBM及高容量存储需求激增，驱动全球存储厂商从“传统数量扩张”转向“以TSV、混合键合等先进封装/制程为核心的结构性扩产”，直接推高全球资本开支中枢。1)全球产能布局：根据Yole，2024年全球DRAM与NAND合计月产能约320万片（按晶圆厂所在地统计），韩国、中国大陆、中国台湾分别占约45%、24%、16%，全球存储制造仍高度集中于东亚，美国本土产能占比不足2%。中国大陆正成为全球存储产能扩张的重要区域。根据SemiAnalysis，随着长鑫存储合肥基地全面投产及上海基地一期、二期产能逐步释放，长鑫存储到2028年月产能有望提升至50万片，对应全球DRAM市场份额由2025年的11%提升至约17%。与此同时，美光宣布2035年前累计投资超过2500亿美元建设美国本土制造基地，美国存储制造能力亦有望加速提升。

　　2）全球存储原厂资本开支进入新一轮上行期。美光FY2025资本开支约138亿美元，据TrendForce预计，FY2026将超过250亿美元，同比增长超80%；三星FY2026计划总投资（含研发）超过110万亿韩元（约733亿美元），首次突破100万亿韩元，并在业绩说明会上表示2026年存储业务资本开支将显著增加；SK海力士FY2025资本开支约30.2万亿韩元（约256亿美元），FY2026预计仍将保持大幅增长。

　　我们认为，HBM对通用DRAM产能的持续挤占，有望成为本轮存储景气延续的重要支撑，并进一步推动存储厂商加快产能建设。

　　据TrendForce，三大原厂HBM晶圆投入占DRAM晶圆总投入的比重将由2025年约18%升至2026年约22%，2027年进一步升至约30%。由于HBM单位比特所需晶圆产能约为常规DDR5的2.5至3倍，每增加一片HBM产能即挤占数片通用DRAM产能，导致通用DRAM供给被结构性压缩。存储原厂新增资本开支优先投向HBM，高端产品产能占比不断提升。在HBM产能快速扩张背景下，即使整体DRAM晶圆投入保持相对稳定，通用DRAM有效供给仍可能低于市场需求增长，从而延长行业景气周期，并进一步推动存储厂商加快先进产能建设。

　　存储层数扩展与HBM升级重塑设备价值量分布，沉积、刻蚀及量检测环节深度受益。

　　3DNAND向300层以上持续堆叠、HBM及先进DRAM制程不断升级，制造工艺复杂度持续提升，沉积、刻蚀、量检测等关键工艺设备投资强度显著提高。其中，1）3DNAND层数增加推动高深宽比刻蚀、介质薄膜沉积等工艺步骤持续增加，带动ALD、高深宽比刻蚀等设备需求增长；2）HBM则受益于TSV、混合键合（HybridBonding）等先进工艺导入，对薄膜沉积、深硅刻蚀、CMP及量检测设备提出更高要求。3）同时，工艺复杂度提升带来的良率管理难度持续增加，推动量检测、缺陷检测及过程控制设备需求加速增长。

　　投资建议：AI驱动全球存储进入新一轮扩产周期，新增产能建设与先进工艺升级同步推进，沉积、刻蚀、量检测等环节设备有望持续受益。推荐【平台型】北方华创(002371)；【沉积】拓荆科技(688072)，微导纳米(688147)；【刻蚀】中微公司(688012)；【量检测】精智达(688627)、精测电子(300567)、天准科技(688003)；【清洗】盛美上海(688082)。

　　风险提示：存储芯片需求增长不及预期，全球存储厂商资本开支低于预期，HBM及先进制程推进不及预期，国产半导体设备验证及导入进度不及预期。