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长鑫科技-研报正文

AI浪潮带动需求爆发,国产DRAM龙头乘势而起

www.eastmoney.com 西南证券 胡杨,王书龙 查看PDF原文

K图

  长鑫科技(688825)

  投资要点

  投资逻辑:1、AI算力建设浪潮带动服务器DRAM需求端爆发式增长,供给端新产能扩产周期较长,HBM及高容量服务器产品占用晶圆资源,行业供给弹性有限。需求爆发叠加供给刚性,存储价格端持续上行,DRAM迎来超级成长周期。2、长鑫科技是国产DRAM龙头,公司2025Q4按销售额统计的全球DRAM市场份额达到7.67%,位居全球第四、中国第一,将充分受益于本轮存储大周期。公司2026H1实现营业收入1503.10亿元,归母净利润776.05亿元,业绩实现爆发式增长。3、展望未来,公司上市募资积极扩产,并推动高代际产品迭代,逐步缩小与海外龙头的制程差距,通过积极布局中高端产品抢占国内市场,国产替代空间广阔,长期成长路径清晰。

  行业情况:AI浪潮拉动DRAM需求大爆发,长鑫份额有望持续提升。1、AI服务器需求增长带动DRAM市场扩容。Omdia预计全球DRAM市场规模将由2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元,2025-2030年复合增速约30.56%;同期服务器DRAM需求占比预计由约50.00%提升至71.00%,成为行业需求增长的核心来源。2、高壁垒铸就寡头垄断格局,长鑫份额有望持续提升。2026Q1三星、SK海力士、美光合计占全球DRAM销售额合计90%,呈现出显著的寡头竞争格局。由于扩产较慢叠加晶圆及先进工艺资源向HBM和高容量服务器产品倾斜,标准型DRAM供给受到结构性约束,供需处在较为紧张的态势。3、国内需求规模庞大,国产替代空间广阔。2024年中国DRAM市场规模约250亿美元,占全球市场超过四分之一,但本土品牌产品自给率仍较低;伴随着长鑫的全面崛起,国产替代趋势明确。

  公司优势:技术迭代与产品升级协同,规模制造支撑商业化。1、持续研发投入支撑工艺平台迭代。公司采取跳代研发策略,已完成从第一代至第四代工艺技术平台的量产及升级,第五代平台处于客户认证阶段。2023-2026H1研发投入累计约274.65亿元,形成持续的技术和产品储备。2、高代际产品覆盖主要应用市场。公司已形成DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6等高代际产品体系,以及RDIMM、MRDIMM等多类型服务器模组,覆盖移动设备、服务器和个人电脑等市场,并持续向高容量、高性能规格延伸。3、公司拥有三座12英寸DRAM晶圆厂,自主掌握芯片设计、晶圆制造及晶圆测试等核心前道环节,并已进入头部终端客户供应链。随着产线利用率提升、产品单位成本下降,规模效应持续释放。

  盈利预测:预计公司2026-2028年公司归母净利润分别为1916亿元、3319亿元和4299亿元,对应PE分别为20倍、12倍、9倍。长鑫科技是国产DRAM龙头,将充分受益于本轮存储大周期。

  风险提示:DRAM价格大幅波动风险;AI及服务器需求不及预期风险;技术研发及客户认证不及预期风险;产能扩张与折旧压力风险。

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