机械：先进封装产业+键合技术发展，共驱键合设备广阔空间

　　终端市场发展与键合设备迭代互为驱动

　　半导体键合概念

　　半导体后道封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(DieBonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。这些工艺的顺序可根据封装技术的变化进行调整、相互结合或合并。“键合”是指将晶圆芯片固定于基板上。键合工艺可分为传统方法和先进方法两种类型。传统方法采用芯片键合(Die Bonding)（或芯片贴装(Die Attach)）和引线键合(Wire Bonding)，而先进方法则采用IBM于60年代后期开发的倒装芯片键合(Flip Chip Bonding)技术。倒装芯片键合技术将芯片键合与引线键合相结合，并通过在芯片焊盘上形成凸块(Bump)的方式将芯片和基板连接起来。

　　键合分类

　　按是否需要进行解键合，可以将晶圆键合分为永久键合和临时键合。

　　永久键合后无需解键合，按照封装方案的不同，永久键合可能涉及完整的晶圆或单片芯片，其连接到其他晶圆或再分配层或中介层，目的是保证封装组件键合的永久性，并提供牢固的电、热和机械连接。根据是否有中间层，可以将永久键合分为两种主要类型：

　　（1）没有中间层的直接键合，包括融熔键合/直接或分子键合、铜-铜/氧化物混合键合、阳极键合等；

　　（2）有中间层的间接键合，按照中间层材料分为使用绝缘中间层的玻璃浆料键合、胶键合等，以及使用金属键合的共晶键合、金属热压键合、回流焊等。

　　临时键合是指将晶圆临时键合到一个或多个临时载体衬底上，从而为薄晶片或超薄晶片提供机械支撑，之后再解离的过程。电子产品的小型化要求芯片具有更好的散热和更高性能，因此需要对晶圆进行减薄以达到所需厚度。然而当晶圆的厚度减小到200微米内时，超薄晶圆会变得脆弱并容易发生翘曲。因此半导体行业提出了各种临时粘合/解离（TBDB）技术，在晶圆减薄、加工和转移过程中为超薄晶圆提供机械支撑和物理保护，减少翘曲和破片的风险，以及加工时因晶圆位移等可能产生的缺陷。