电子行业：美光业绩大超预期，重视存储芯片向上周期

　　核心观点：

　　AI需求驱动的存储芯片市场回暖，美光业绩大超市场预期。美光近期公布了FY26Q1财报，业绩和指引均超市场预期，从业绩来看，单季度实现收入136亿美元，yoy：+57%，qoq：+21%，毛利率57%，qoq：+11pct；净利润55亿美元，yoy：+169%，qoq：+58%，净利率40%。分产品来看，DRAM营收108亿美元，占比79%，yoy：+69%，qoq：+20%，出货量环比略有上升，ASP环比增长约20%；NAND营收27亿美元，占比20%，yoy：+22%，qoq：+22%，出货量环比增长中高个位数，ASP环比增长约15%。其中AI服务器增长是公司的核心业绩驱动，云存储业务收入55亿美元，yoy：+100%，qoq：+16%，需求端来看，单台AI服务器配备的SSD容量快速向上，叠加HDD供给偏紧、交期拉长，使得部分“冷数据”被动向QLC eSSD迁移，AI服务器需求持续提升。

　　HBM供应紧张，FY2026资本支出预计超200亿。公司在FY26Q1电话会上表示，预计HBM市场规模将从25年的约350亿美元增长至28年的约1000亿美元，目前美光在26年已完成HBM3E、HBM4供应和价格协议签订，美光HBM4基于其1-β节点，Base Die沿用存储工艺，而逻辑工艺将于HBM4E导入，而海力士和三星均选择在HBM4推进Logic Base Die，公司将在2026Q2开始向客户出货HBM4。美光在2026年资本开支计划为200亿美元，主要用于支持HBM和1-gamma芯片的产能。

　　存储受益于AI需求，持续看好这轮存储行业上行周期。根据TrendForce集邦咨询最新调查，2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模，涨势转强，并带动整体DRAM价格上扬，预计DRAM价格环比增长18-23%，HBM的ASP增长23%-28%。我们认为，随着服务器整机出货量年增幅度持续扩大，且因各CSP积极导入高效能运算架构以支援大型模型运算，Server单机DRAM搭载容量将随之提高，推升整体DRAM位元需求优于预期，导致供给短缺情况延续，持续看好本轮存储行业上行周期。

　　投资建议：我们认为，当前时点是存储芯片赛道下一轮周期的新起点，在AI服务器需求高速增长叠加国产替代，看好国内存储产业链相关上市公司的投资机遇。建议关注相关IC设计厂商兆易创新、普冉股份、东芯股份、北京君正、澜起科技，以及存储模组厂商：德明利、香农芯创、江波龙等。

　　风险提示：下游需求不及预期的风险，同业竞争格局加剧的风险，新品研发不及预期的风险，供应链转移导致不确定性增加的风险。