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半导体行业深度报告:溅射靶材行业深度:半导体PVD工艺核心耗材,国产化进程加速

www.eastmoney.com 东吴证券 陈海进 查看PDF原文
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  投资要点

  溅射靶材是薄膜沉积核心耗材,市场规模持续扩容,需求由晶圆产能扩张与单片用量提升双轮驱动。相较CVD,磁控溅射材料与基板可选范围广、膜厚易控、附着力强,已成为工业化薄膜制备主流技术。据中商情报网,中国2025年溅射靶材市场规模33.65亿元,2026年有望达38亿元。逻辑芯片向7-3nm迭代、3D-NAND与HBM工艺升级及Chiplet、CoWoS先进封装,共同推升单片晶圆靶材用量与单位价值;SEMI预测2026-2027年中国300mm晶圆厂设备支出维持双位数增长,资本开支向靶材采购传导,根据我们的测算,全球半导体靶材远期市场规模有望超70亿美元,较当前有翻倍空间。

  靶材生产工序复杂、技术壁垒极高,头部格局具备较强稳定性。靶材对金属原料纯度及生产工艺要求极高。金属原料需历经靶坯成型、热机械处理、高精度机加工、背板绑定及超高洁净清洗等工序,任一参数波动均影响膜层性能。熔炼法(EB)适配钽、铌、铜、铝,致密度需突破98.0%;粉末冶金法(HIP)适配钨、钼及合金,致密度需突破97.0%。微观组织需经多道次交叉轧制与阶梯退火细化晶粒、控制织构;绑定环节国内电子束焊机±50µm定位精度尚不满足300mm靶材±10µm要求。高技术与客户认证壁垒使供应链粘性强,份额短期难洗牌。

  海外龙头工艺积累深厚,AI需求带动半导体材料业务量利齐升并加速全球产能布局。JX金属2026年半导体用溅射靶材全球份额约65%(公司自身估计),高纯铜技术达9N,FY2026Q1半导体靶材销量同比+26%,半导体材料分部收入521亿日元、营业利润144亿日元,同比+34%、+69%,营业利润率27.6%。东曹以4N-5N5高纯钛靶与GaN靶双线布局,FY2027Q1先进材料营业利润率由8.3%升至9.3%。Solstice于2025年10月30日分拆上市,2026Q2电子材料收入1.19亿美元、同比+15%。

  国产替代持续深化,国内厂商在制程覆盖、客户导入与经营兑现上同步突破。江丰电子靶材覆盖130nm-5nm,2026H1营收27.37亿元、同比+30.68%,归母净利润5.40亿元、同比+113.61%,靶材与零部件合计贡献84.60%。有研新材2026H1靶材收入同比增超45%,319项在验证产品105项批量供货,12英寸Cu/CuMn已用于14-3nm互连。欧莱新材2026H1营收5.08亿元、同比+133.43%并扭亏;阿石创三条产品线毛利率分别提升11.89、10.63、9.28个百分点。国产靶材进口替代持续加速。

  风险提示:下游晶圆厂扩产及行业景气波动风险;高纯金属原材料价格波动与成本传导风险;产能建设与项目进度不及预期风险;客户认证与验证转化进度风险;行业竞争加剧风险;国际贸易摩擦、出口管制政策与供应链稳定性风险。

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