售罄至2029年
摘要
中信证券财富管理与中信里昂研究观点一致。根据中信里昂研究在2026年10月28日发布的题为《Soldoutthrough2029》的报告，SK海力士在三季度财报电话会议上的信息是，当前存储周期在结构上不同于以往周期。AI资本开支正变得更加广泛，HBM/DRAM能见度现已延伸至2029年，HBM需求是可获得供应的两倍多，产能增加正分阶段推进，而非无差别地爬坡，AI推理正在为NAND创造增量增长驱动力。其概述了2026财年100万亿韩元的股东回报，包括30万亿韩元以上的现金股息和60万亿韩元以上的回购。股票回购将按季度进行，而股息将设定在可持续水平。
三季度营业利润因更优产品组合推动平均售价上升而超出市场一致预期10%
海力士三季度收入为104.6万亿韩元（环比+32%），营业利润为83.3万亿韩元（环比+38%），分别高于市场一致预期8%和9%。DRAM和NAND平均售价分别上涨30%和29%，位元出货量分别为+10%和-1%。营业利润率为79.7%，而二季度为76.3%。净现金头寸增至98.7万亿韩元，而二季度为69.4万亿韩元。
AI资本开支周期依然强劲；DRAM/HBM直至2029年实际上已售罄
据海力士称，AI资本开支正从超大规模云服务商扩展至企业、主权AI和本地部署，从而降低对个别参与者资本开支决策的敏感性。现有长期协议加上目前正在讨论的销量意味着，海力士的DRAM和HBM销量在未来三年直至2029年实际上已售罄。长期协议已占2027-28年总产能的50%以上，海力士打算在中期大体维持这一水平。
产能扩张保持纪律性；不急于向4F²过渡
海力士反驳了新晶圆厂最终可能导致供应过剩的担忧。HBM产量和复杂度上升需要显著更多资源，而技术迁移对位元增长的贡献正在减弱。虽然晶圆厂外壳可提前于需求建设，但洁净室启用、设备安装和生产爬坡将根据需求和盈利能力进行调整。据海力士称，在转向4F²之前，尽可能在经济和技术上延长当前6F²DRAM架构仍是优先事项。
HBM爬坡进展强劲，较低HBM堆叠并非需求负面因素
海力士预计，HBM4将在2026年四季度在出货量和收入两方面均超过HBM3E，其量产良率已超过原定目标。海力士不认为向较低堆叠HBM配置的潜在迁移是需求负面因素。客户需求仍是当前供应量的两倍以上，使中期HBM前景保持不变。其预计，在HBM4占比和定价上升、良率改善以及成本竞争力增强的支撑下，明年HBM收入和利润将同比显著增长
催化因素
维持其在HBM市场的领导地位可能继续推动市场份额，而快于预期的NAND需求复苏很可能成为该股的潜在催化因素。
投资风险
主要风险包括美中地缘政治紧张、持续的贸易战以及IT和服务器市场需求复苏延迟。存储器市场持续的库存调整以及中国芯片制造商的快速产能扩张也对海力士构成威胁。
