半导体:HBM加速迭代叠加美国限制出口,国产自主可控重要性日益凸显
投资要点
根据《韩国经济新闻》12月4日报道,SK海力士将于25H2采用台积电3nm生产HBM4。
SK海力士改采台积电3nm生产HBM4,HBM4E将引入混合键合技术
根据《韩国经济新闻》12月4日报道,SK海力士将于25H2以台积电3nm制程为客户生产定制化的第六代高频宽内存HBM4;最快将于2025年3月发布一款采用台积电3nm制程生产的基础裸片的垂直堆叠HBM4原型,主要出货的客户为英伟达。三星同样预计在25H2提供HBM4样品,批量生产计划在26财年。产能方面,根据CFM数据,至2024年底三星、SK海力士和美光合计HBM月产能将达30万片,其中三星HBM增产最为激进;预计2025年全球HBM市场规模将上看300亿美元,HBM将占DRAM晶圆产能约15%至20%。
HBM3E及之前的HBM都是采用DRAM制程的基础裸片,而HBM4基础裸片将采用台积电3nm的先进逻辑工艺,以推动性能和能效进一步提升。此外,随着HBM堆叠层数逐渐增加,存储厂商正积极推动在HBM4中引入无助焊剂键合技术,以进一步缩小DRAM堆叠间距;其中,美光动作最为积极,已开始与合作伙伴测试新制程,SK海力士正在评估无助焊剂键合技术,三星电子也正在密切关注相关技术。根据SK海力士HBM封装路线图,其将在计划于2026年量产的HBM4E中采用混合键合技术。混合键合技术可最大限度地缩小DRAM的间隙,且没有微凸块电阻,因此信号传输速度更快,热量管理更为高效。
为应对AI浪潮带来的强劲需求,英伟达已与台积电等供应链合作伙伴提前启动了下一代Rubin平台的研发工作,原定于2026年亮相的Rubin芯片有望提前半年发布,即2025年下半年面世。台积电计划扩大CoWoS先进封装产能,以满足Rubin芯片的预期需求;目标在25Q4将CoWoS月产能提升至8万片。英伟达RubinGPU将配备8个HBM4芯片,其增强版RubinUltraGPU将集成12颗HBM4芯片,预计于2027年推出。
我们认为,AI强劲需求正推动HBM市场高速增长,同时HBM持续升级迭代也不断带来新技术、新工艺的投资机会。
美国新增对HBM的出口管制,HBM国产自主可控重要性日益凸显
2024年12月2日,美国商务部工业和安全局(BIS)修订了《出口管理条例》(EAR),新的出口限制包括限制向中国出口先进HBM,并对24种半导体制造设备和3种软件工具进行出口管制,包括美国公司在外国工厂生产的设备。140家中国实体被增列至出口管制实体清单,中芯国际、武汉新芯、北方华创、拓荆科技、盛美均在该清单上。
根据新的3A090.c,IFR将管制“Memorybandwidthdensity”大于2GB/s/mm2的HBM。当前生产的所有HBM都超过了此阈值,即对于目前几乎所有现行生产的HBM,均不能出口到中国。TrendForce表示,国内存储厂商武汉新芯和长鑫存储正处于HBM制造的早期阶段,其中武汉新芯正在针对HBM建造月产能3000片晶圆的12英寸工厂,长鑫存储则与封测厂通富微电合作开发了HBM样品,并向潜在的客户展示。
我们认为,美国进一步升级对华出口管制凸显HBM全产业链国产自主可控的重要性,产业链相关的国产厂商迎来前所未有的发展良机。
投资建议
建议关注HBM产业链相关标的:1)封测环节:通富微电(先进封装)、长电科技(先进封装)等;2)设备环节:拓荆科技(PECVD+ALD+键合设备)、华海清科(减薄+CMP)、芯源微(临时键合与解键合)、华卓精科(拟上市,键合设备)等;3)材料环节:华海诚科(环氧塑封料)、天承科技(RDL+TSV电镀添加剂)、艾森股份(先进封装电镀)、联瑞新材(硅微粉)等。
风险提示:行业与市场波动风险,国际贸易摩擦风险,新技术、新工艺、新产品无法如期产业化风险,产能扩张进度不及预期风险,行业竞争加剧风险。
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