发布多款刻蚀、薄膜新品，平台化布局持续加速
中微公司(688012)
投资要点
事件：9月4日中微公司在第十三届半导体设备与核心部件及材料展上推出六款新设备，涵盖高深宽比&选择比刻蚀、ALD、EPI等设备。
刻蚀新品高深宽比CCP与金属刻蚀ICP，有望充分受益于制程演进：（1）公司新一代高深宽比CCP刻蚀机Primo UD-RIE®基于成熟架构升级，配备六个反应腔，通过更高功率更低频率射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。目前我国NAND已实现200层+量产，并向300层发展；其通道孔深度超过5微米、深宽比大于60:1，显著推升对极高深宽比通孔刻蚀的需求。（2）高选择比ICP刻蚀Primo Menova™设备擅长金属Al线、Al块刻蚀，广泛适用于先进逻辑和存储芯片制造，在刻蚀均一性、选择比与低底层损伤等方面表现突出，并集成高效腔体清洁及高温水蒸气除胶腔室设计，提升效率与稳定性；25年6月首台机已付运客户验证，进展顺利。先进逻辑与存储芯片的金属互连层数不断增加（28nm工艺约8–10层，7nm/5nm节点达13–14层），对金属刻蚀的精度和均一性提出更严苛要求，公司ICP设备有望充分受益。
新品ALD覆盖多种先进制程金属，双腔EPI满足客户降本增效需求：（1）Preforma Uniflash®系列ALD：覆盖TiN、TiAl、TaN三大材料，独创双反应台与多级混气设计，薄膜均一性和效率达到国际先进水平。金属栅作为先进逻辑器件的关键环节，对栅极薄膜的厚度控制、台阶覆盖率及颗粒污染提出极高要求，推动晶圆厂对高精度ALD设备需求加速释放。（2）PRIMIO Epita®RP双腔减压外延：具备全球最小反应腔体积与多腔灵活扩展（至多可配置6腔），降低OPEX与化学品消耗的同时，实现高生产效率，可满足先进逻辑、存储等多领域外延工艺需求。24年8月，该设备已付运到客户进行成熟制程和先进制程验证。
平台化布局加速落地：公司平台化布局覆盖刻蚀、薄膜、量检测及显示设备。截至2025年上半年末，已有6,800台等离子体刻蚀与化学薄膜反应腔在国内外155条产线实现量产，并形成规模化批量订单。同时，公司设立超微公司切入电子束检测领域，引入领军人才，加速检测设备布局。此次发布多款先进薄膜与刻蚀设备，平台化布局再次加速。
盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润为24.3/34.0/44.5亿元，当前股价对应动态PE分别为51/37/28倍，维持“买入”评级。
风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。
