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东微半导-研报正文

2Q26单季度营收创新高,5-6月慧能泰并表实现营收4330万元

www.eastmoney.com 国信证券 叶子,胡慧,连欣然,张大为,詹浏洋,黄铮 查看PDF原文

K图

  东微半导(688261)

  核心观点

  公司2Q26单季度营收历史新高。公司主要产品包括高压超级结MOSFET(简称超结MOS)、中低压屏蔽栅MOSFET、IGBT(TGBT)、碳化硅及数字控制IC;受益于数据中心、算力服务器电源、光伏及消费电子等领域需求增长,公司1H26实现营收7.36亿元(YoY+19.58%),归母净利润1.06亿元(YoY+285.41%);2Q26公司实现营收4.57亿元(YoY+37.16%,QoQ+63.22%),扣非归母净利润0.04亿元(YoY-58.1%,QoQ+222.45%),毛利率17.84%(YoY-0.18pct,QoQ+1.17pct)环比改善。

  AI服务器、数据中心、光伏与消费电子需求增长,多领域产品加速放量。1H26公司车规级、工业级领域主营业务收入占比约79%。其中,受益于数据中心和算力服务器电源需求增长,各类工业及通信电源领域收入占比逾37%(YoY+15%),光伏逆变器领域收入占比约14%(YoY+130%),消费电子设备领域收入占比约12%(YoY+99%),车载充电机领域收入占比逾14%(YoY-21%)。公司下游结构继续向数据中心、光伏及消费电子等增长较快的应用倾斜。1H26中低压屏蔽栅MOSFET收入同比增长67.50%,TGBT收入同比增长45.59%。1H26超级结MOSFET、中低压屏蔽栅MOSFET、TGBT及SiC器件分别实现收入4.54亿元(YoY-3.28%)、1.97亿元(YoY+67.50%)、3008.83万元(YoY+45.59%)及207.42万元(YoY+494.14%),新增PD快充收入4321.15万元。中低压屏蔽栅MOSFET受益于通信及服务器电源拓展;TGBT受益于650V产品在车载充电机放量及1200V产品向工业电机和光伏逆变客户批量交付。2Q26并购慧能泰完成并表,功率器件与数字控制IC协同推进。2Q26完成对慧能泰的控股收购,补齐公司数字控制IC能力。慧能泰5-6月纳入合并报表,两个月实现营收4330.48万元、净利润227.94万元。超级结MOSFET第四代平台制造工艺持续成熟,第六代平台验证结果符合预期;第四代SiCMOSFET平台进入量产爬坡阶段。

  投资建议:中长期公司通过多维产品布局有望打开多应用领域成长空间,短期考虑公司服务器相关产品加速放量,结合公司1H26经营情况,调整公司费用率,预计26-28年公司有望实现归母净利润1.72/2.76/3.25亿元(前值:26-27年1.98/2.75亿元),对应26-28年PE分别为50/31/27倍,维持“优于大市”评级。

  风险提示:AI服务器需求不及预期,新产品上量不及预期等。

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