存储芯片短缺未见缓解迹象
摘要
中信证券财富管理与中信里昂研究观点一致。根据中信里昂研究在2026年1月29日发布的题为《No end in sight tomemory shortages》的报告，在第四季度业绩电话会议上，三星电子（SEC）预计2026年业绩将因AI需求及全行业供应短缺而持续强劲。本轮AI驱动的存储芯片超级周期较过往周期更长且更强劲，并且代表了从过去消费电子主导需求的结构性转变。三星电子积极提高存储芯片平均售价（ASP），分析指出，凭借其在高端应用领域的强大布局及对晶圆厂基础设施的前瞻性投资，三星电子将充分受益于本轮上行周期的机会。
存储芯片均价飙升产品组合优化推动一季度利润增长
2025年第四季度，三星电子的存储业务收入同比增长39%，主要得益于数据中心对HBM及高密度服务器DRAM的强劲需求。晶圆代工/LSI业务亏损维持在约1万亿韩元。移动体验（MX）的营业利润同比下滑46%，因旗舰机型销量受季节性因素及存储芯片价格上涨的负面影响，导致平均售价下降20%。显示业务（Display）营业利润同比增长63%，得益于对最大客户的强劲出货。
对一季度前景持乐观态度
2026年一季度，三星电子致力于优化存储芯片出货组合（面向服务器客户的高端产品）以实现利润最大化。分析预计公司在一季度营业利润将环比增长，主要受DRAM/NAND平均售价预计分别上涨驱动。由于面临产能限制及低库存水平，三星电子预计DRAM位元出货量增长有限，给出NAND出货量将同比增长约5%（低基数效应）的指引。
HBM4认证在即；增加资本支出应对未满足需求
三星电子预计市场对HBM及高密度服务器DRAM的强劲需求将持续，并表示其所有HBM量产产能已全部被预订。关于HBM4方面，公司表示产品已进入英伟达（Nvidia）认证的最后阶段，目标在一季度内启动量产。2025年公司的总资本支出为52.7万亿韩元（同比-2%），其中半导体资本支出（同比+3%）占比90%。为应对强劲需求，公司计划显著增加晶圆厂设备（WFE）的资本指出，着眼于短期扩大供给以把握需求机遇。
催化因素
随着存储芯片平均售价持续上涨，三星电子的盈利前景持续改善。公司正努力应对高需求压力，优先优化客户与产品组合以实现利润最大化。分析认为当前阶段的主要催化因素包括：i)2026全年持续的存储芯片短缺；ii)获得英伟达HBM4认证；iii)先进制程与成熟制程晶圆代工产能利用率的提升；iv)斩获新晶圆代工订单。
投资风险
主要风险包括晶圆代工业务复苏慢于预期，以及HBM4产品通过英伟达认证的延迟。
